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杭州高裕電子科技股份有限公司

產品展示

Product Demonstration

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IGBT模塊高溫高濕反偏老化測試系統(H3TRB)

符合標準:

IEC60749、IEC60747、AQG324、AEC-Q101等標準。

適用范圍:

適(shi)用于(yu)各(ge)種封(feng)裝形式的IGBT模(mo)塊、二(er)極管(guan)模(mo)塊、整(zheng)流(liu)橋模(mo)塊、晶閘管(guan)模(mo)塊進行高溫高濕反偏試驗(H3TRB)。

技術特點:

可實(shi)現自動上(shang)、下橋臂切換(huan)測試。

每個回路(lu)漏電流超上(shang)限電子開關斷(duan)電保(bao)護。

實時監測每(mei)個試驗器件的漏電流。

全過程(cheng)試(shi)驗數據保存于硬盤(pan)中,可輸出Excel試(shi)驗報表和繪制全過程(cheng)漏電(dian)流IR變(bian)化(hua)曲線(xian)。


技術性能

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