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符合標準:

IEC60749、IEC60747、AQG324、AEC-Q101、JEDEC等標準。

適用范圍:

適用(yong)于各種封裝形式的IGBT模(mo)塊(kuai)(kuai)、二極(ji)管模(mo)塊(kuai)(kuai)、整流橋模(mo)塊(kuai)(kuai)、晶閘管模(mo)塊(kuai)(kuai)進行高(gao)溫反偏試(shi)驗(yan)(HTRB)。

技術特點:

每(mei)個(ge)模(mo)塊加熱板獨立加熱，可獨立控制每(mei)個(ge)模(mo)塊的結(jie)溫Tj。

實時監測每(mei)個試驗(yan)器件(jian)的(de)漏電流。

每個回路漏電(dian)流超上(shang)限(xian)電(dian)子開關斷(duan)電(dian)保護。

全(quan)過程試驗數據保存于(yu)硬盤中，可輸出(chu)Excel試驗報表和繪制全(quan)過程漏電流IR變化(hua)曲線。