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杭州高裕電子科技股份有限公司

產品展示

Product Demonstration

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IGBT模塊高溫柵反偏老化測試系統(電子開關保護)

符合標準:

IEC60749、IEC60747、AQG324、AEC-Q101、JEDEC等標(biao)準。

適用范圍:

適用于各種封裝(zhuang)形(xing)式的IGBT模塊(kuai)、二極(ji)管模塊(kuai)、整流橋模塊(kuai)、晶閘管模塊(kuai)進行高溫(wen)反偏試驗(HTRB)。

技術特點:

可實時(shi)監(jian)測每個的結溫TJ。

實時監測每個試驗器(qi)件的漏電流。

每個(ge)回路(lu)漏(lou)電(dian)流(liu)超上限電(dian)子開關斷電(dian)保護。

全過程(cheng)試驗數據保存(cun)于硬盤(pan)中,可輸出Excel試驗報(bao)表和繪制全過程(cheng)漏電流IR變化曲(qu)線。


技術性能

表格 p21.png