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杭州高裕電子科技股份有限公司

產品展示

Product Demonstration

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IGBT模塊高溫反偏老化測試系統(電子開關保護)

符合標準:

IEC60749 、IEC60747、AQG324、AEC-Q101、JEDEC等標準。

適用范圍:

適用于各種封(feng)裝形式的(de)IGBT模(mo)塊(kuai)(kuai)、二極管模(mo)塊(kuai)(kuai)、整流橋模(mo)塊(kuai)(kuai)、晶閘管模(mo)塊(kuai)(kuai)進(jin)行(xing)高溫反(fan)偏試驗(HTRB)。

技術特點:

可實時監測每(mei)個的結(jie)溫TJ。

可實現自動上、下(xia)橋臂切換(huan)測試(shi)。

每個回路漏電(dian)流超上限電(dian)子(zi)開關(guan)斷(duan)電(dian)保護。

實時監測每個試驗器(qi)件的漏電(dian)流。

全過程(cheng)試(shi)驗數據保(bao)存于(yu)硬(ying)盤(pan)中,可輸(shu)出(chu)Excel試(shi)驗報表和繪(hui)制全過程(cheng)漏電流IR變化曲線。


技術性能

表格 p20.png