Product Demonstration
符合標準:
AEC-Q101、MIL-STD-750D、GJB128、JEDEC等標準。
適用范圍:
適用(yong)于(yu)各種封裝形式的二極(ji)管、三(san)極(ji)管、場效(xiao)應管、可控硅(gui)、IGBT單管等器件進(jin)行高(gao)溫反偏試(shi)(shi)驗(HTRB)和高(gao)溫漏流測試(shi)(shi)（HTIR）。
技術特點:
可(ke)實時監測每(mei)個(ge)的結(jie)溫TJ。
實時監測(ce)每個試(shi)驗器件(jian)的漏(lou)電流。
全過程試驗數據保存于硬盤中，可輸(shu)出Excel試驗報表和(he)繪制全過程漏電(dian)流IR變化曲線。
